세미컴, 실리콘 ESD 소자 신제품 출시, 서지 보호 기능 제공

설계 엔지니어들은IEC 61000-4-2 표준에 따른 ESD(정전방전) 보호기능이 CBE(Charged Board Events)로 인해 발생하는 보다 심각한 손상을 방지하기에는 부족할 수 있음을 잘 알고 있다. 이렇게 극도로 강력한 서지는 높은 피크 전류와 빠른 상승시간에 의해 구분되며 스마트 폰, 태블릿, 자동차용 인포테인먼트 기기를 비롯해 각종 민감한 전자 제품의 I/O 포트에 손상을 미친다. 이를 잘 인지하고 있는 TE 커넥티비티의 회로보호 사업부가 최근 실리콘 ESD(SESD) 소자 신제품 군을 출시했다. IEC가 규정한 8kV 접촉방전과 15kV 기중방전 표준을 초과하는  ±20kV와 ±22kV 기중방전 등급을 보여주는 이 소자는 CBE로 인해 발생하는 다양한 보호 문제를 해결해준다. TE회로보호 사업부의 Product Manager인 니콜 펄마 (Nicole Palma)는 “당사는 설계 엔지니어들과의 작업을 통해 CBE 문제가 발생할 경우ESD 보호용 IEC표준이 제 기능을 발휘하지 못하고 있음을 발견했다” 며 “이러한 도전 과제에 부응하고자 20kV와 더욱 높은 서지 보호기능을 제공하기 위해 소형의 로우캡(Low-cap) SESD 소자의 기존 라인을 한층 강화했다. 이처럼 보다 견고한 보호 기능을 제공하는 제품을 채용한 제조사들은 제품의 신뢰도를 높이면서도 고장으로 인한 제품 반환 가능성을 최소화하게 되므로 경쟁이 치열한 컴퓨팅, 이동 기기, 소비재 기기, 자동차 시장에서 더욱 경쟁력을 갖게 된다”고 말했다. 차세대 SESD 제품은 단방향 및 양방향 보호 형태로 출시되며 1, 2, 4 채널로 구성되어 있다. 이들 제품은 0201 및 0402 크기로 표준 flow-through 패지키로 제공된다.  20kV 접촉 방전 보호기능 외에 이 소자의 서지 용량(4채널 어레이 - 2.2A 및 1, 2채널 소자 - 2.5A)은 보다 견고한 성능을 제공한다. 고주파 스펙트럼에서 SESD 소자의 입력 커패시턴스는 0.15pF(양방향)와 0.30pF(단방향)으로 USB, HDMI, eSATA, 기타 고속 신호를 필요로 하는 제품의 요구사항을 충족시킨다. 이 소자들은 낮은 클램핑 전압(<15V)으로 인해 빠르게 동작하여 ESD 에너지가 민감한 칩셋으로 유입되는 것을 최소화시킨다.  SESD 소자의 매우 낮은 누설 전류(50nA)는 에너지 절감이 필수적인 애플리케이션에서 전력 소모를 절감시켜 준다.

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